Científicos de la Universidad Complutense de Madrid (UCM) han creado materiales artificiales con nuevas propiedades que abren una nueva vía para los dispositivos electrónicos del futuro, según informó el centro universitario.
Los resultados, que han sido publicados en la revista científica 'Advanced Materials', muestran el potencial de materiales artificiales nanoestructurados basados en óxidos complejos para el control de las propiedades de la interfase, permitiendo diseñar nuevos comportamientos y funcionalidades.
Así, los científicos del Grupo de Física de Materiales Complejos de la UCM han producido heteroestructuras que alternan capas de titanato de estroncio, y manganita de lantano, dos materiales aislantes, que sin embargo unidos dan lugar a dos efectos hasta ahora inesperados: magnetismo y elevada conductividad eléctrica en la interfase entre ambos.
Este grupo forma parte de la Unidad Asociada Materiales y Heteroestructuras para Espintrónica con el Instituto de Ciencia de Materiales del CSIC, donde se ha realizado la caracterización magnética y de transporte.
La imagen directa de estas interfases ha sido obtenida por científicos del Laboratorio Nacional de Oak Ridge (Estados Unidos) utilizando un microscopio electrónico de transmisión-barrido de última generación y con resolución por debajo de 0.1 nm.
A juicio de los expertos, el resultado científico es de gran relevancia ya que muestra la posibilidad de controlar la estructura electrónica de la interfase para obtener funcionalidades específicas. De esta forma, proponen la utilización de estos resultados para la implementación práctica de dispositivos de electrónica de óxidos como uniones túnel magnéticas (muy relevantes para el almacenamiento magnético de información) o dispositivos de efecto campo (transistores) controlados por campo magnético que pueden ser de utilidad como nuevos sensores.
Según explica la UCM, durante el siglo XX los dispositivos electrónicos han tenido una profunda influencia sobre la calidad de vida revolucionando las comunicaciones, la computación, la manufactura, y el transporte
http://www.europapress.es/ciencia/noticia-cientificos-espanoles-crean-materiales-dispositivos-electronicos-futuro-20100225141250.html
Eurix Janeth Gómez VeraLos resultados, que han sido publicados en la revista científica 'Advanced Materials', muestran el potencial de materiales artificiales nanoestructurados basados en óxidos complejos para el control de las propiedades de la interfase, permitiendo diseñar nuevos comportamientos y funcionalidades.
Así, los científicos del Grupo de Física de Materiales Complejos de la UCM han producido heteroestructuras que alternan capas de titanato de estroncio, y manganita de lantano, dos materiales aislantes, que sin embargo unidos dan lugar a dos efectos hasta ahora inesperados: magnetismo y elevada conductividad eléctrica en la interfase entre ambos.
Este grupo forma parte de la Unidad Asociada Materiales y Heteroestructuras para Espintrónica con el Instituto de Ciencia de Materiales del CSIC, donde se ha realizado la caracterización magnética y de transporte.
La imagen directa de estas interfases ha sido obtenida por científicos del Laboratorio Nacional de Oak Ridge (Estados Unidos) utilizando un microscopio electrónico de transmisión-barrido de última generación y con resolución por debajo de 0.1 nm.
A juicio de los expertos, el resultado científico es de gran relevancia ya que muestra la posibilidad de controlar la estructura electrónica de la interfase para obtener funcionalidades específicas. De esta forma, proponen la utilización de estos resultados para la implementación práctica de dispositivos de electrónica de óxidos como uniones túnel magnéticas (muy relevantes para el almacenamiento magnético de información) o dispositivos de efecto campo (transistores) controlados por campo magnético que pueden ser de utilidad como nuevos sensores.
Según explica la UCM, durante el siglo XX los dispositivos electrónicos han tenido una profunda influencia sobre la calidad de vida revolucionando las comunicaciones, la computación, la manufactura, y el transporte
http://www.europapress.es/ciencia/noticia-cientificos-espanoles-crean-materiales-dispositivos-electronicos-futuro-20100225141250.html
CI 18392113
ESS
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